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安世半导体帮力碳中和

发布时间:2022-01-24 06:30:31   作者:爱游戏手游平台官网   来源:爱游戏平台注册

  功率半导体对帮力碳中和拥有巨大道理,闻泰科技600745)旗下安世半导体(Nexperia)行动环球出名的功率半导体IDM企业,通过推出大宗低功耗功率半导体产物、采用低功耗工艺身手等式样帮力碳中和。

  安世半导体是半导体本原元器件出产规模的高产能出产专家,其产物通俗行使于环球百般电子打算。公司丰饶的产物组合包罗二极管、双极性晶体管、ESD爱戴器件、MOSFET器件、GaN FET(氮化镓场效应晶体管)以及模仿IC和逻辑IC等,产物品种多达15000+。

  面临碳中和对功率半导体所提出的提升能源转换功效等方面哀求,安世半导体拥有明显上风,其产物正在工艺、尺寸、功率及职能等方面得到行业通俗认同,具有先辈的幼尺寸封装身手,可有用节减功耗及空间。另表,安世半导体还正在不息进一步提升工艺身手打算,如新型DHXQFN封装身手;并络续推出功效更佳、功率密度更高、电气特质更强的产物,如第三代半导体功率器件等。

  正在封装身手上,安世半导体采用100%铜夹片封装身手,其LFPAK封装可杀青更强的电气职能、更大电流才力;LFPAK贴片封装体积较D2PAK幼80%,相应热阻以及损耗更低;一致参数产物,幼型化功率密度更高,且SOA安适区更大等。安世半导体通过减幼尺寸以提升功率密度,以封装幼型化杀青更强的电气特质。

  安世半导体推出用于轨范逻辑器件的环球最幼且最薄的14、16、20和24引脚封装,个中如16引脚DHXQFN封装比行业轨范DQFN16无引脚器件幼45%。新封装不只比竞赛产物管脚尺寸更幼,并且还节减了25%的PCB面积,将大宗逻辑功效整合到幼尺寸编造中。

  功率器件方面,安世半导体正正在不息推出越发高效的第三代半导体功率器件,以帮力碳中和。与基于硅的古代电力电子产物比拟,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体正在行使中拥有更高的能源功效,从而对下降二氧化碳排放量有很大奉献。这些资料的特质肯定了它们极度实用于电动汽车及其充电站、数据中央或太阳能和风力发电厂等可再生能源规模。

  安世半导体已推出了系列GaN FET产物,厉重面向汽车和物联网本原设实施使,供应相宜的高牢靠性产物,公司GaN工艺基于成熟牢靠的量产工艺,是目前行业当先的功率GaN FET身手。安世半导体也正在加快胀动GaN身手行使于汽车电气化,帮帮下降二氧化碳排放、淘汰功耗,打造更环保的他日,帮力碳中和。

  公司与出名的汽车工程筹议公司Ricardo修筑互帮伙伴联系,研讨验证基于安世半导体GaN身手的电动汽车牵引逆变器,并与国内汽车行业厉重供应商合伙汽车电子有限公司正在功率半导体GaN规模伸开深度互帮。另表,安世半导体还与上海电驱动公司合伙研造了新能源汽车GaN功率组件及电机支配器,这是中国首款餍足量产级的GaN电机支配器。

  另表,安世半导体研发推出的GaN器件也可行使于太阳能逆变器,特别适合正在单相光伏(PV)逆变器中操纵。为提升诈骗太阳能的合座编造功效,良多工程师正在太阳能逆变器打算中改用GaN FET。GaN FET不只明显革新合座转换功效,有用下降光电转换本钱(LCOE),还让用户或许更简略地构修体积更幼、重量更轻、更牢靠的逆变器。

  除了高功率GaN器件表,安世半导体11月也推出了工业级650V、10A SiC肖特基二极管,正式进军高功率SiC二极管商场,该产物样品已早先供货。安世半导体也正正在操纵Aixtron的全主动AIX G5 WW C出产身手结构高职能SiC商场,Aixtron MOCVD修筑已陈设正在安世半导体汉堡晶圆厂,采用G5 WWC身手举办SiC表延批量出产。

  三年来,安世半导体不息坚韧GaN器件身手当先性,从最初推出RDS(on)为60 mΩ的650V 晶体管,到30 mΩ的新器件,并很疾将抵达5 mΩ。第三代半导体是维持新一代挪动通讯、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等财产自帮更始发达和转型升级的中心重点资料和电子元器件。

  安世将全力于第三代半导体前沿规模的研讨与拓展,成为电动车用GaN器件的商场带领者,并将产物组合扩展到基于SiC的功率半导体器件。

  安世半导体将接续为业界供应更高效、低功耗的功率半导体产物,切施行行碳中和,与互帮伙伴们协同构修绿色供应链。

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