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华林科纳-半导体工艺 晶圆湿式用于硅蚀刻浴晶圆蚀刻

发布时间:2022-01-18 10:23:03   作者:爱游戏手游平台官网   来源:爱游戏平台注册

  解析酿成MEMS创设所需的三维布局,需求SILICON的各向异性蚀刻,此时利用的湿式蚀刻工艺研商的事项网罗蚀刻率、长宽比、本钱、境况污染等[1]。用于硅各向异性湿式蚀刻

  溶液有KOH)、(TMAH)、NaOH等,但KOH与TMAH比拟,平整度更好,而且只对硅的 100 表面做出响应,以是Fig。如1所示,拥有54.74的各向异性蚀刻个性,毒性幼。利用KOH的硅各向异性湿式蚀刻正在压力传感器、加快率计、光学传感器等集体MEMS安装布局酿成等中利用。

  工艺模仿经过中利用了150 mm晶片,蚀刻厚度为610 μm。悉数工序流程是Fig。等于4,用反射计衡量了实习中利用的热处分氧化膜的厚度,Fig。确认均匀为1.2 μm,如5所示。为了酿成波托雷吉斯特(AZ-1512)

  用显微镜旁观了相应。实习正在没有只身安装的情形下冷却了硅,结果是。像7一律,确认了晶片后背被遗忘的局面。这使得悉数晶片都变薄了,硅的硬度裁减了。为了防范这种近况,实行平静的湿式蚀刻工艺,打算并筑造了硅后向蚀刻防范安装。

  安装利用工艺结果证据,将开荒的安装利用于湿式蚀刻工艺,结果与Table 1相似。平静地将150 mm晶片的总厚度610 μm从最幼1mm¥0.5mm到最大9mm¥9mm等多种图案蚀刻出来,并显示出与前面提到的(1)、(2)的公式宛如的方向性。然而,选取比展示了差别,这可以是氧化膜滋长经过中氢含量的差别所致和投篮时,晶片的硬度相对优异。上述结果表明,通过利用开荒的安装的KOH湿式蚀刻工艺,可能正在一个晶片上酿成多种MEMS的布局。

  MEMS安装的创设央浼各向异性蚀刻,以确保晶片集体的图案平均性和硅的硬度。

  十足。本研商为此开荒了150毫米晶片后背防蚀刻安装。实习结果确认硅平静地蚀刻到最大深度610 μm。另表,假如可以打算和筑造适合各式硅片巨细的安装,并利用本研商等工艺法子,将对抬高平静性和产量做出巨大奉献。返回搜狐,查看更多



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